国星光电立时SiC模块及GaN器件新品

已对，国星光电大受欢迎了SiC子系统及GaN半导体器件器件的电子产品，并对SiC转速分立半导体器件器件同步进行了一新追加。

针对充电桩、UPS不间断电源供应器等工业类层面，国星光电最一新大受欢迎的SiC转速子系统电子产品都有有NS34m、NS62m、NSECO以及NSEAS一新作的元件，仿射构件扩及半桥、全桥、三相桥以及CIB。

子系统规格覆盖1200V电流层级，20A-80A的电流区域内，可依据美国市场电路系统的接口要求和成本等考量的考量，必需各有不同仿射构件的转速子系统，并快速同步进行应用替换。

瞄准快充美国市场，国星光电最一新大受欢迎E-mode的 650V/10A GaN-DFN5*6 GaN半导体器件器件，BVds>650V，Rdson

视频来源：拍信网正版图库

除了发布SiC子系统及GaN半导体器件器件的电子产品，国星光电还对SiC转速分立半导体器件器件电子产品同步进行最佳转化成追加，顺利完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6五种占有优势元件构件的开发一新。

该电子产品以TO一新作为主，以外已建立主流650V一新作与1200V一新作SiC MOSFET和SiC SBD两个电子产品一新作，可应用于风力发电直流电源、工业电源供应器、一新能源汽车、充电桩、轨道交通及智能电网等层面的电力系统转转化成装置。其中1200V 40A SiC MOSFET，Vth开启电流低于2.0V，Rdson开通损耗小于50mΩ。

国星光电表示，为实现终端应用美国市场的供给，公司决心加码对第三代半导体器件的样式，以外已形成以SiC和GaN为集团公司的第三代半导体器件电子产品一新作，都有SiC转速分立半导体器件器件、SiC转速子系统、GaN半导体器件器件。

其中，SiC子系统及GaN半导体器件器件的电子产品集生产、试验、可靠度解析试验依托的实验线已试产运作，可迅速对接顾客一新颖的供给；SiC转速分立半导体器件器件电子产品已顺利完成了多项可靠度解析与具体应用端实测工况的审计，产线已开建，并顺利完成了多个协作商的试产订单。

此外，国星光电不断丰富电子产品线路，计划于本年大受欢迎超薄型SiC内焊一新作分立半导体器件器件，电子产品的耐压技能、散热技能等将赢取全面的提升，可能够地实现顾客对半导体器件器件内部焊的严厉供给。

另一方面，国星光电也将于本年陆续大受欢迎E-mode的650V/15A，Cascode的650V/12A等各有不同型号的GaN半导体器件器件电子产品，为顾客提供定制转化成关键技术解决方案，全面实现顾客多样转化成的供给。

接下来，国星光电将抢抓“十四五”发展一新机遇，持续加大第三代半导体器件的研究开发一新和关键技术成果转转化成，共同努力打造具备高可靠度、高品质占有优势的“三代半转速半导体器件器件下半年大型企业”。（来源：国星光电）

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